ROHM開發出確保安裝可靠性的車載用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

發布時間:2019年07月23日 14:07    發布者:eechina
關鍵詞: MOSFET , ADAS
ROHM(總部位于日本京都)開發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,該系列產品可確保部件安裝后的可靠性,且符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101,是確保車規級品質的高可靠性產品。另外,產品采用了ROHM獨有的封裝加工技術,非常有助于對品質要求高的高級駕駛輔助系統(ADAS)攝像頭模塊等汽車電子的小型化。

RV4xxx系列已于2019年5月份開始出售樣品(樣品價格 100日元/個,不含稅),預計于2019年9月開始暫以月產10萬個規模投入量產。

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近年來,ADAS不可或缺的車載攝像頭,受安裝空間的限制,對所配置部件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場需求,在保持大電流的前提下,有望進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET備受矚目。

另一方面,對于汽車電子產品,為確保可靠性,會在產品安裝后進行外觀檢測※1),但由于底部電極封裝在側面沒有充分形成穩定的焊接面,因此無法確保汽車電子需要的焊料高度,并且很難確認安裝后的焊接狀態,這是長期以來存在的課題。

ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在內的行業領先產品的開發,并創造了傲人業績。此次,通過引入ROHM獨有工藝方法的 Wettable Flank成型技術※2),底面電極封裝也能形成焊接面。作為業界首家※保證封裝側面電極部分130μm的高度,因此可在產品安裝后的外觀檢測中可以充分確認焊接狀態。

未來,ROHM會充分運用Wettable Flank成型技術優勢,繼續開發小型封裝技術,并將技術優勢從MOSFET擴展到雙極晶體管和二極管產品,持續擴充追求小型高可靠性的產品陣容。
※截至2019年7月23日 ROHM調查數據

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<特點>
1.        利用融入ROHM獨有工藝方法的Wettable Flank成型技術,保證封裝側面電極部分130μm的高度

Wettable Flank成型技術是在封裝側面的引線框架部加入切割再進行電鍍的技術。但是,引線框架切割高度越高越容易產生毛刺。

為此,ROHM開發出獨有的工藝方法,在引線框架整個表面上設置了用來減少毛刺的阻擋層。這可以防止產品安裝時的傾斜和焊接不良,而且作為DFN1616封裝產品(1.6mm×1.6mm),業界首家保證封裝側面電極部分130μm的高度。

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2.替換為小型底部電極 MOSFET,削減安裝面積

以往ADAS攝像頭模塊的反接保護電路主要采用肖特基勢壘二極管(SBD)。但是,隨著攝像頭的分辨率日益提高,在超大電流化方向發展的車載市場,由于小型底部電極MOSFET具有導通電阻低且可減少發熱量的特點,替換掉SBD已經是大勢所趨。

例如電流2.0A、功耗0.6W時,在車載市場被廣為使用的帶引腳封裝MOSFET,與SBD相比,可削減30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET,由于是底部電極,散熱性更好,不僅可實現小型化,還可實現大電流化。因此,與傳統的SBD相比,其安裝面積可削減78%,與普通的MOSFET相比,其安裝面積可削減68%。

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<產品陣容>
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